Memory Hardware Introduction

• density : 單位面積下能儲存的 data 大小
• SRAM 也可使用 row access 和 column access
• SRAM 是用 transistor 構成的 invertor (Bistable cirtcuit)組合而成；而 DRAM 由一個 transistor 和 capacitance 構成，而電容會隨時間流失電荷，因此需要不斷 recharge

6T-SRAM Circuit

• M1、M2 和 M3、M4 分別為 invertor，其組合構成一個 Bistable circuit
• M5、M6 控制開關
  • WL : 控制 M5、M6 的開關訊號
  • BL : 寫入、讀取資料的 port

• Read Operation

• Write Operation

• High density SRAM
• 相較於 DRAM 與製程較有關，因此可以隨著製程節點一起迭代
• 實務上希望 SRAM 較接近正方形，使著 row access 和 column access 時間保持一致